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摘要:面對(duì)近年國外(wài)戰略性掣肘的不斷加壓,我國芯片設計(jì)被鎖定在産業創新價值鏈的低(dī)端,芯片設計(jì)企業如何擺脫低(dī)端循環以搶占産業發展制高(gāo)點,成爲我國芯片産業破局的關鍵。在分析我國芯片設計(jì)産業現(xiàn)狀及其創新價值鏈地位的基礎上(shàng),選取芯片設計(jì)領軍企業華爲海思作(zuò)爲研究對(duì)象,從(cóng)研發水(shuǐ)平、競争對(duì)手、設計(jì)人才三方面探讨其陷入低(dī)端鎖定困局的成因,并爲解決低(dī)端鎖定帶來(lái)的企業發展易受制于人、失去主流市場應用(yòng)機會(huì)、難以赢得資本市場青睐等不良影響,從(cóng)知(zhī)識儲備、技術研發、人财保障、平台搭建和(hé)策略組合等維度提出破解策略,爲我國芯片設計(jì)企業向創新價值鏈高(gāo)端攀升提供對(duì)策建議(yì)。

關鍵詞:芯片設計(jì);創新價值鏈;鎖定困境;破解策略;華爲海思

芯片設計(jì)是将系統、邏輯與性能(néng)的設計(jì)要求轉化爲具體物理(lǐ)版圖的過程,屬于芯片産業鏈的上(shàng)遊,是創新價值鏈中附加值最高(gāo)的環節。近年來(lái),我國對(duì)芯片産業的重視(shì)與扶持力度不斷加大(dà),習近平總書記多次視(shì)察光谷芯片企業,格外(wài)關注芯片産業創新成果,鼓勵科技工(gōng)作(zuò)者掌握更多具有自(zì)主知(zhī)識産權的核心技術。近年我國芯片設計(jì)技術進步很(hěn)快(kuài),芯片設計(jì)企業數量攀至全球首位,設計(jì)水(shuǐ)平也(yě)達到(dào)了(le)相當高(gāo)度,能(néng)夠設計(jì)出一批優秀産品,但(dàn)受資源配置不佳、設計(jì)技術滞後、專業人才短缺等問題的困擾,我國芯片設計(jì)企業發展舉步維艱,真正有市場影響力和(hé)生态話(huà)語權的企業鳳毛麟角,大(dà)量企業深陷創新價值鏈低(dī)端環節難以脫身。在美(měi)國領先、少數巨頭主導的整體态勢下(xià),我國芯片設計(jì)産業受到(dào)邊緣化威脅的問題日益凸顯,高(gāo)通類似事(shì)件所暴露的核心技術問題再次強調了(le)我國核心芯片依賴進口的問題亟待解決,特别是2023年2月末美(měi)國芯片補貼申請(qǐng)啓動,“芯片禁令”将給我國芯片産業發展帶來(lái)更大(dà)阻力。實際上(shàng),在面對(duì)美(měi)國逐步收緊的技術禁令過程中,我國華爲旗下(xià)的海思半導體(以下(xià)簡稱“華爲海思”)自(zì)2004年10月成立以來(lái),在芯片疊加工(gōng)藝、光子芯片、超導光量子芯片等現(xiàn)代化芯片研發上(shàng)持續發力,打破了(le)安防芯片的國外(wài)巨頭壟斷,連續多年保持國内第一大(dà)芯片設計(jì)企業排位,曾多次上(shàng)榜全球IC設計(jì)(Fabless)供應商排名前十,2020年營收更是逼近百億美(měi)元。那麽,在國外(wài)技術壓制與掣肘下(xià),我國芯片設計(jì)企業明(míng)确創新價值鏈鎖定原因和(hé)尋找技術壁壘突破路徑,就成爲我國半導體産業獨立自(zì)主發展的關鍵。本文(wén)選取華爲海思爲研究對(duì)象,對(duì)其創新發展進行單案例研究,探究我國芯片設計(jì)企業創新價值鏈鎖定的困境成因,并爲實現(xiàn)價值鏈攀升提出破解策略,促使我國芯片設計(jì)業實現(xiàn)彎道(dào)超車。
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文(wén)獻綜述

芯片技術屬于高(gāo)精尖技術,是各國争奪的一個技術戰略高(gāo)地。随着國際競争愈發激烈,尋找核心技術創新突破成爲企業脫穎而出的重要抓手。雖然近年來(lái)芯片産業發展勢頭迅猛,但(dàn)仍存在着勞動力投入冗餘、核心技術嚴重依賴進口、人才培養和(hé)引入機制不完備等一系列阻礙芯片企業創新發展的問題。對(duì)此,部分學者通過案例分析來(lái)探究企業如何實現(xiàn)創新突破,并從(cóng)多方面提出實際建議(yì),譬如通過政府制定政策來(lái)健全激勵機制、規劃企業網絡整合資源、構建創新生态系統、鑄造芯片跨區(qū)域格局錯位互補發展、促進國内外(wài)技術合作(zuò)、構建國際創新合作(zuò)網絡等措施。期望通過實施一系列措施來(lái)強化企業的自(zì)主創新能(néng)力,從(cóng)而穩步推進國内芯片企業尖端化和(hé)國際化。

創新價值鏈理(lǐ)論視(shì)創新爲一個循序漸進的過程,基于對(duì)創新過程鏈式結構的認知(zhī),諸多學者對(duì)創新過程進行了(le)細緻的劃分,在區(qū)域創新視(shì)角下(xià),将創新過程劃分爲知(zhī)識創新、科研創新、産品創新三階段的觀點被運用(yòng)最廣。在企業創新機制視(shì)角下(xià),創新過程多被劃分爲技術成果生成和(hé)技術成果轉化兩階段。有學者将價值鏈與産業鏈相融合,并基于産業屬性的差異,構建出有針對(duì)性特色的創新價值鏈,芯片創新價值鏈可被劃分爲有關知(zhī)識創造、傳播、使用(yòng)和(hé)再創造的過程。芯片設計(jì)位于産業鏈上(shàng)遊,由于進口依賴嚴重、人才長期匮乏、産業投入不足等原因,導緻芯片設計(jì)桎梏于低(dī)端鎖定困境。

綜上(shàng)可知(zhī),我國芯片企業的創新發展問題一直備受關注,學者們從(cóng)多方位提出了(le)助力企業實現(xiàn)創新突破的實質性意見,但(dàn)基于創新價值鏈理(lǐ)論的相關研究大(dà)多面向芯片産業整體,而對(duì)于産業鏈中芯片設計(jì)企業的針對(duì)性研究鮮有。因此,鑒于芯片設計(jì)環節在芯片産業鏈中占據極高(gāo)的附加值地位,本文(wén)在創新價值鏈視(shì)角下(xià),以國内芯片設計(jì)領軍企業華爲海思爲例,深入分析我國芯片設計(jì)企業創新價值鏈鎖定的影響與成因,并在此基礎上(shàng)探究相應的解鎖策略。

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我國芯片設計(jì)産業現(xiàn)狀與創新價值鏈地位
2.1 我國芯片設計(jì)産業發展現(xiàn)狀
我國芯片設計(jì)産業起步時(shí)間較晚,目前整體仍處于初期發展階段,國内龍頭企業屈指可數,未實現(xiàn)穩态壟斷。由于該産業技術更新換代速度極快(kuài),時(shí)刻面臨被趕超的風(fēng)險,明(míng)顯技術優勢不夠突出,與實現(xiàn)技術創新突破尚存在一定發展空(kōng)間。然而,随着國内對(duì)人工(gōng)智能(néng)需求的擴大(dà)以及衆多扶持政策的出台,新興企業不斷增長,已成爲全球芯片設計(jì)産業增長的主要驅動力。
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根據圖1可知(zhī),近十年我國芯片設計(jì)企業一直保持穩健增長态勢,尤其在2016年增幅極爲明(míng)顯,近幾年增速逐漸放(fàng)緩,并在2022年首次出現(xiàn)企業數量增速下(xià)降狀況,盡管如此,2022年的企業數量仍比上(shàng)一年度多增了(le)433家。雖然我國芯片設計(jì)企業如雨後春筍般萌生,但(dàn)大(dà)多數企業規模都偏小(xiǎo),國内龍頭企業屈指可數,營收過億的企業占比一直維持在20%以下(xià),其中華爲海思和(hé)紫光展銳穩居超億元企業排名榜首。絕大(dà)部分企業的營收情況不容樂觀,甚至有很(hěn)多企業接近于零收入,資金(jīn)獲取主要仰賴于政府補貼和(hé)風(fēng)險投資。

面對(duì)全球新冠疫情的爆發和(hé)美(měi)國不斷加壓的無理(lǐ)制裁,我國很(hěn)多芯片設計(jì)企業倒閉,部分企業通過裁員以續生存。此外(wài),美(měi)國通過搭建專利技術壁壘帶來(lái)的影響,迫使企業隻能(néng)降低(dī)産品生産所需技術要求,轉而購買本地産品,中間産品技術含量的降低(dī)導緻最終産品的質量下(xià)滑。根據圖2可知(zhī),我國芯片設計(jì)産業的銷售額連續多年保持穩定增長,但(dàn)從(cóng)2020年開(kāi)始,産業總銷售額增速持續下(xià)降,2021年比2020年的增速降低(dī)了(le)3.7個百分點,2022年比2021的增速又降低(dī)了(le)3.6個百分點。目前介于高(gāo)速叠代帶來(lái)的行業發展不确定性以及國際巨頭的掣肘,芯片産業逐漸國産化已是不可避免的趨勢,并且多數大(dà)型芯片設計(jì)企業未來(lái)會(huì)選擇延伸到(dào)全産業鏈中,通過多維投資布局來(lái)對(duì)沖不确定性風(fēng)險,而小(xiǎo)型企業則多被巨頭并購。

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2.2 我國芯片設計(jì)産業的創新價值鏈地位

從(cóng)芯片全産業鏈來(lái)看(kàn),芯片設計(jì)屬于全産業的上(shàng)遊環節,在芯片設計(jì)最上(shàng)遊存在軟件設計(jì)工(gōng)具電子設計(jì)自(zì)動化(Electronic Design Automation,EDA)和(hé)互聯網協議(yì)(Internet Protocol,IP)授權商,下(xià)遊承接着芯片制造廠(chǎng)商,如圖3所示。首先,EDA軟件集中度較高(gāo),全球EDA市場幾乎由新思科技(Synopsys)、楷登電子(Cadence)、西門(mén)子EDA(SiemensEDA,原先的Mentor Graphics)三巨頭所壟斷,長期占據全球市場份額的70%以上(shàng)(數據來(lái)源:ESD Alliance前瞻産業研究院)。其次,被廣泛使用(yòng)的IP核大(dà)多源于Advanced RISC Machines(英國)、Synopsys(美(měi)國)、Imagination(原英國)和(hé)Cadence(美(měi)國),由于存在較高(gāo)的技術壁壘和(hé)商業壁壘,我國企業在該領域鮮有涉獵。最後,目前全球隻有台積電和(hé)三星在7nm、5nm、3nm制程上(shàng)有所競争,而國内大(dà)陸最先進的芯片制造企業隻突破了(le)14nm制程工(gōng)藝,當後端制程環節達不到(dào)芯片設計(jì)的要求,再完美(měi)精密的芯片設計(jì)也(yě)是徒勞。可見,我國芯片設計(jì)企業受到(dào)上(shàng)下(xià)遊兩端制約和(hé)牽引。

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芯片是集成電路的載體,我國集成電路的進出口存在顯著貿易逆差。根據圖4可知(zhī),從(cóng)2019—2021年國内集成電路進出口一直維持增長趨勢,由于出口追趕不上(shàng)進口的高(gāo)位運行,造成的進出口逆差局面始終未變,僅近四年的進出口逆差總額就高(gāo)達9779億美(měi)元,2022年整個集成電路市場陷入低(dī)迷,進出口規模有所下(xià)滑,同時(shí)國内生産也(yě)出現(xiàn)了(le)自(zì)2009年以來(lái)的首次下(xià)滑,國内産量同比下(xià)降9.8%。将各年集成電路的國内生産量、出口量、進口量對(duì)比後不難發現(xiàn),國内芯片生産量遠不能(néng)滿足自(zì)身需求,芯片自(zì)給率低(dī),依賴進口的局面很(hěn)難在短時(shí)間内改變。

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從(cóng)表1所示的全球芯片設計(jì)企業營收狀況來(lái)看(kàn),2022年第一季度全球前十總營收增至394.3億美(měi)元,同比增長44.20%,可見芯片設計(jì)行業市場成長強勁。高(gāo)通、博通、英偉達蟬聯前三席位,美(měi)國超微公司(Advanced Micro Devices,AMD)憑借70.89%突出的同比增速,反超聯發科晉升排名第4後,美(měi)國芯片企業包攬前四位,市場占比高(gāo)達74.70%。韋爾半導體在2022年擠進十強後,榜上(shàng)有名的中國芯片企業增至四家,分别是聯發科、聯詠、瑞昱、韋爾半導體,除了(le)聯發科占比超10%,剩餘三家企業市場占比低(dī)至個位數,四家企業市場占比總額都略低(dī)單個榜首企業,顯然我國芯片設計(jì)企業的競争實力與國際鳌頭大(dà)相徑庭,國内能(néng)夠發揮引領作(zuò)用(yòng)的領軍企業寥寥可數,難以形成合力。

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芯片設計(jì)受兩端桎梏、行業市場占比極小(xiǎo)、芯片自(zì)給率偏低(dī)等問題,處處揭露了(le)我國芯片設計(jì)産業正固封于價值鏈低(dī)端鎖定的窠臼,解決如何實現(xiàn)價值鏈的攀升以及在此過程中規避制裁雖道(dào)阻且長,但(dàn)已然刻不容緩。

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芯片設計(jì)企業創新價值鏈鎖定影響與成因
3.1 創新價值鏈鎖定的影響
3.1.1 企業發展易受制于人

根據俘獲效應可知(zhī),頭部企業主導着産品價值鏈的分工(gōng)體系,而低(dī)端企業隻能(néng)被動融入,最初頭部企業爲了(le)後端企業能(néng)符合分工(gōng)需要,會(huì)主動輸出一些(xiē)技術和(hé)标準,一旦發現(xiàn)其有向價值鏈高(gāo)端攀升的苗頭時(shí),頭部企業就會(huì)借助自(zì)身勢力對(duì)其打壓以防彎道(dào)超車。知(zhī)識創新是創新價值鏈的初始環節,加快(kuài)知(zhī)識信息流動有助于價值鏈運轉,設置知(zhī)識壁壘則是最尋常的打壓阻截手段。未掌握核心技術的企業會(huì)通過取得技術轉讓或技術許可等方式來(lái)獲得相關知(zhī)識,期間要對(duì)外(wài)支付高(gāo)額的采購費用(yòng)和(hé)專利授權費用(yòng),但(dàn)是國際巨擘之間通常持有交叉專利許可,可以形成對(duì)等威懾局面,然而處于低(dī)端鎖定的企業無法受益,就形成了(le)強者愈強、弱者愈弱的馬太效應。同時(shí),低(dī)端鎖定的企業處于被動接受地位,未控有主動決定權,一旦掌握相關專利的頭部企業利用(yòng)“專利叢林(lín)”設置關卡,價值鏈低(dī)端企業必受其影響。華爲海思的麒麟處理(lǐ)器曾一度與高(gāo)通骁龍等大(dà)廠(chǎng)并駕齊驅,産品競争力不容置疑,但(dàn)在美(měi)國專利技術的知(zhī)識壁壘阻截下(xià),公司的技術優勢被明(míng)顯削弱。

3.1.2 失去主流市場應用(yòng)機會(huì)

市場是檢驗産品的最佳标準,2009年華爲海思設計(jì)研發的第一款手機芯片K3V1,由于存在性能(néng)差、可靠性低(dī)、冷啓動等問題,隻能(néng)選擇搭乘山寨機進入末端市場。2012年華爲海思推出的K3V2處理(lǐ)器,讓其一舉跻身頂級智能(néng)手機處理(lǐ)器行列,但(dàn)由于采用(yòng)的工(gōng)藝制程等技術不完備,反映出整體功耗高(gāo)和(hé)兼容性差等問題,造成用(yòng)戶購買率不佳。2013年底,麒麟910作(zuò)爲華爲海思第一款推出的手機SoC芯片,同樣因爲存在軟件兼容性、功耗、使用(yòng)性能(néng)等問題,未能(néng)獲得市場認可。低(dī)端企業在産品技術方面明(míng)顯落後,使其缺乏競争力與領先企業抗衡,并且大(dà)部分後發企業在開(kāi)始研發産品時(shí),傾向選擇對(duì)标國外(wài)指标,但(dàn)僅僅追趕别人的技術标準會(huì)形成永遠都“差一步”的現(xiàn)象,更難進入主流市場,市場應用(yòng)機會(huì)的喪失同時(shí)意味着企業無法獲得最直接、最高(gāo)效、最真實的用(yòng)戶反饋,産品技術改進缺乏實踐經驗。此外(wài),無法滿足消費者需求的産品所獲銷售收入微乎其微,這(zhè)與高(gāo)額的研發投入需求不相匹配,從(cóng)而導緻“低(dī)競争力→低(dī)市場份額→低(dī)營業收入→低(dī)研發投入”惡性循環凸顯。

3.1.3 難以赢得資本市場青睐

對(duì)于創立初期的華爲海思而言,大(dà)規模的科研投入需求難以被滿足成爲棘手難題,當時(shí)的芯片設計(jì)産業發展剛擡頭,投資商對(duì)芯片初創企業的發展滿腹疑團,不敢輕易押注,華爲海思的研發等各項投入則是由華爲内部全額投資。如今我國芯片設計(jì)産業仍處于低(dī)端鎖定階段,芯片設計(jì)産業的投資成功率不高(gāo),我國投資商對(duì)于芯片設計(jì)的投資失敗容忍度較低(dī),并且縱觀以往經驗,很(hěn)多創新型的早期芯片項目都是紛紛夭折。芯片設計(jì)相較芯片制造而言,投資者傾向于更具象的芯片制造加工(gōng),芯片設計(jì)難度高(gāo)、耗資高(gāo)、風(fēng)險不可控的特殊屬性愈發讓投資商望而生畏,導緻國内欠缺相應的風(fēng)險投資行爲,芯片設計(jì)産業目前面臨的投資熱潮更多的隻是投資意願而非實際行動,這(zhè)對(duì)于滿足芯片設計(jì)産業高(gāo)額科研投入需求帶來(lái)重重困難。

3.2 創新價值鏈鎖定的成因
3.2.1 研發技術水(shuǐ)平欠佳
華爲海思芯片對(duì)接的手機芯片與電腦(nǎo)或是服務器上(shàng)的中心處理(lǐ)器(Central Processsing Unit,CPU)不同,手機處理(lǐ)器采用(yòng)的是集成CPU、藍牙芯片、圖形處理(lǐ)器(Graphics Processing Unit,GPU)、通信芯片等多種功能(néng)于一體的SoC芯片,對(duì)于芯片研發的技術要求極高(gāo)。華爲海思最初生産的K3系列隻是獨立的應用(yòng)芯片,但(dàn)能(néng)發揮通信作(zuò)用(yòng)的智能(néng)手機需要應用(yòng)芯片(Application Processor,AP)和(hé)基帶芯片(Basedband Processor,BP)兩部分電路,而隻有掌握集成應用(yòng)處理(lǐ)器和(hé)基帶處理(lǐ)器等不同模塊的SoC設計(jì)能(néng)力,才能(néng)算(suàn)作(zuò)高(gāo)端芯片生産廠(chǎng)商。技術水(shuǐ)平的有限導緻産品研發周期漫長且成品技術含量不夠,華爲海思在研發K3V1時(shí),從(cóng)2005年立項到(dào)2009年才推出,耗時(shí)約四年,并且K3V1芯片采用(yòng)的是110 nm制程工(gōng)藝,但(dàn)當時(shí)領先芯片企業的制程工(gōng)藝已達到(dào)65 nm、55 nm。對(duì)于芯片設計(jì)後發企業的華爲海思而言,經驗、用(yòng)戶、研發等方面都有所缺失,當時(shí)的技術能(néng)力無法生産出能(néng)與先發巨頭企業競争的産品,且不具備由規模經濟帶來(lái)的低(dī)成本競争優勢。在企業創立前九年裏,華爲海思一直處于虧損狀态。
3.2.2 競争對(duì)手戰略性狙擊
市場規模擴大(dà)的同時(shí)伴随着市場競争的加劇(jù),競争對(duì)手之間的戰略阻隔也(yě)愈演愈烈。華爲海思在自(zì)主研發出麒麟960配置的16 nm碼分多址(Code Division Multiple,CDMA)之前,爲了(le)繞開(kāi)高(gāo)通的專利壁壘,隻能(néng)使用(yòng)技術不完備的55 nm CDMA基帶處理(lǐ)器,這(zhè)也(yě)是引起配備手機兼容性差且功耗大(dà)等問題的根本原因。華爲海思在切入IPC SoC市場後也(yě)遭受多方狙擊,特别是聯發科旗下(xià)的Mstar憑着超高(gāo)的性價比,不斷搶奪華爲海思市場份額,在Mstar的帶動下(xià),其他(tā)芯片廠(chǎng)商群起而攻之。市場國際化使得競争對(duì)手不隻存在于企業間,也(yě)顯露在國家競争戰略層面。随着集成電路産業分工(gōng)逐漸細緻化,芯片企業從(cóng)事(shì)業務也(yě)越針對(duì)性。華爲海思專門(mén)從(cóng)事(shì)芯片設計(jì),下(xià)遊芯片生産環節是由台積電承包,但(dàn)受到(dào)美(měi)國制裁的影響,且台積電的技術涉及美(měi)國技術,所以台積電将終止與華爲的合作(zuò),華爲海思芯片的制造轉由其他(tā)大(dà)陸晶圓代工(gōng)廠(chǎng)生産,而相比台積電3 nm的制程,大(dà)陸企業14 nm的制程技術上(shàng)限無法滿足華爲高(gāo)端系列。此外(wài),由于芯片設計(jì)複雜(zá)程度的增加,EDA工(gōng)具成了(le)設計(jì)過程中極重要的軟件,能(néng)自(zì)動完成虛拟的設計(jì)、分割布線、仿真測試等工(gōng)作(zuò)。但(dàn)占據世界EDA市場份額70%以上(shàng)的三大(dà)巨頭Synopsys(美(měi)國)、Cadence(美(měi)國)、西門(mén)子EDA(德國)受美(měi)國禁令的影響,華爲海思很(hěn)難與其合作(zuò),隻能(néng)尋找技術欠優的EDA廠(chǎng)商,影響了(le)華爲海思設計(jì)芯片的效率。
3.2.3 芯片設計(jì)人才短缺
我國早期不夠重視(shì)半導體行業,相關專業的高(gāo)校院所基礎建設相對(duì)薄弱,專業對(duì)口的畢業生也(yě)隻有約三成選擇在國内從(cóng)事(shì)相關工(gōng)作(zuò),畢業後赴美(měi)工(gōng)作(zuò)或轉變就業方向的占比較高(gāo)。同時(shí),受國外(wài)政府和(hé)國際競争企業的束縛,海外(wài)頂尖人才來(lái)華較少。芯片設計(jì)人才“高(gāo)流出、低(dī)流入”放(fàng)大(dà)了(le)我國芯片設計(jì)人才短缺的劣勢,人才瓶頸日益凸顯。芯片産品需要經曆設計(jì)、流片、驗證、産業化、客戶反饋多個環節,工(gōng)程師隻有在經曆幾個來(lái)回後才能(néng)獲得有效經驗積累,前期經驗的缺失導緻員工(gōng)隻能(néng)從(cóng)事(shì)簡單低(dī)端的設計(jì)工(gōng)作(zuò),因此頂尖人才培養的實現(xiàn)周期長,導緻許多企業會(huì)選擇高(gāo)薪挖人才,在這(zhè)個過程中員工(gōng)流動性強,人員的能(néng)力經驗積累出現(xiàn)斷層錯軌現(xiàn)象,又進一步導緻高(gāo)尖人才培養受阻。在芯片設計(jì)人才匮乏的大(dà)環境下(xià),華爲海思又受美(měi)國禁令的影響,芯片設計(jì)喪失國外(wài)先進技術的支撐,設計(jì)工(gōng)作(zuò)舉步維艱,加之國内其他(tā)芯片企業的大(dà)力拉攏,華爲海思已有的設計(jì)人才正逐漸流失。對(duì)此華爲正謀劃從(cóng)芯片設計(jì)專項工(gōng)作(zuò)轉變到(dào)全産業鏈的轉型道(dào)路,也(yě)不斷從(cóng)其他(tā)企業吸引人才,然而老(lǎo)員工(gōng)的流出和(hé)新員工(gōng)的挖進會(huì)打擊在研項目的穩定發展。
 4 
芯片設計(jì)企業創新價值鏈鎖定的破解策略
4.1 夯實知(zhī)識儲備,加速基礎研究積澱
1991年華爲成立了(le)專用(yòng)集成電路(Application Specific Integrated Circuit,ASIC)設計(jì)中心,集中設計(jì)專用(yòng)集成電路,在1993年成功研發了(le)華爲第一塊數字ASIC,并陸續研發出十萬門(mén)級、百萬門(mén)級、千萬門(mén)級的ASIC,華爲前期累積的技術基礎、經驗員工(gōng)、資金(jīn)設備爲海思實體公司的成立築好(hǎo)地基。一直以來(lái),華爲都是海思芯片設計(jì)研發的堅強後盾,華爲通過在全球範圍内投資多個研究所,助力科學家不斷進行基礎性研究探索,爲海思芯片設計(jì)研發提供基礎知(zhī)識幫助。同時(shí),華爲在開(kāi)發通信産品的過程中已經在移動終端和(hé)通訊設備等領域搭建了(le)廣泛的網絡布局,通信核心技術和(hé)專利的積累也(yě)爲海思芯片發展築牢基礎。在華爲提供的大(dà)規模芯片應用(yòng)下(xià),芯片實現(xiàn)快(kuài)速叠代是海思經過高(gāo)強度學習、研發、創新的結果,成功的背後是不斷試錯,這(zhè)爲華爲海思後續研發乃至作(zuò)爲芯片設計(jì)領域的後發者能(néng)夠後來(lái)居上(shàng)積累了(le)大(dà)量經驗。
4.2 深耕技術研發,提升綜合技術能(néng)力

芯片設計(jì)産業技術壁壘極高(gāo),企業需要着力提升技術創新能(néng)力,爲跻身高(gāo)端芯片行列提供先進技術支持。如今已被消費者熟知(zhī)且接受的麒麟系列,在初期生産的麒麟910“片上(shàng)系統”也(yě)有過不被市場認可的毛羽未豐階段。在叠代更新期間,麒麟系列通過更換制造工(gōng)藝和(hé)GPU,解決了(le)K3系列發熱和(hé)軟件兼容等問題,并且還比高(gāo)通提前一年自(zì)主研發出支持LTE Ca4G網絡的基帶芯片巴龍710,這(zhè)意味着華爲海思逐漸掌握識别、吸收和(hé)整合新技術的能(néng)力。之後麒麟920采用(yòng)28 nm高(gāo)性能(néng)移動(High Performance Mobile,HPM)工(gōng)藝制程,集成了(le)音(yīn)頻芯片、視(shì)頻芯片、ISP,自(zì)主研發出全球首款支持LTE Cat.6的巴龍720基帶,更是明(míng)顯縮小(xiǎo)了(le)海思芯片與行業領先者的技術差距,此後麒麟芯片變得真正成熟,受到(dào)消費者更多好(hǎo)評。麒麟960的研發攻破了(le)以往55 nm CDMA基帶的桎梏,自(zì)主研發的16 nm CDMA基帶解決了(le)高(gāo)通的專利壁壘,海思芯片開(kāi)始進入處理(lǐ)器芯片的頭部陣營。麒麟970的生産發布更成爲轉折點,在業内首次推出人工(gōng)智能(néng)計(jì)算(suàn)平台網絡處理(lǐ)單元(Neural Processing Unit,NPU),将AI從(cóng)以往運用(yòng)在大(dà)型雲端設備轉移到(dào)低(dī)功耗要求的消費級移動終端産品上(shàng),華爲海思開(kāi)啓了(le)智能(néng)手機向智慧手機的探索道(dào)路。十餘年深耕,華爲海思實現(xiàn)了(le)從(cóng)落後追趕到(dào)齊肩并行甚至領先的轉變,助力華爲在智能(néng)手機市場取得了(le)遙遙領先的地位。

4.3 保障人财投入,助力技術攻堅克難

2012年華爲高(gāo)層強調海思每年要投入4億美(měi)元和(hé)2萬人進行技術強攻,通過提升自(zì)主創新能(néng)力來(lái)降低(dī)進口技術依賴。目前華爲海思員工(gōng)已超7000人,除在深圳設立總部外(wài),在上(shàng)海、北京、美(měi)國矽谷、瑞典皆設有分公司以網羅人才,通過企業價值導向和(hé)藍圖規劃吸引高(gāo)端人才加盟,通過全産業鏈布局收購團隊,高(gāo)薪挖角的行爲在該行業更是常見。高(gāo)薪搶人能(néng)在短期内解決人才短缺,但(dàn)基于長期而言,培養人才更不容忽視(shì)。華爲海思在研發骨幹培養方面一直不遺餘力,通過知(zhī)識數字資産共享、分派海外(wài)工(gōng)作(zuò)、外(wài)派培訓等方式加速研發人員的技術知(zhī)識積累,并通過與高(gāo)校共同建立起芯片設計(jì)人才培養的産教協同機制,在經過組織性和(hé)系統性學習的同時(shí),鼓勵學生到(dào)企業中實踐獲真知(zhī),才能(néng)鍛煉出具備夯實基礎知(zhī)識和(hé)實操經驗的人才。芯片設計(jì)不僅需要頂尖的人才投入,充足的資金(jīn)投入也(yě)不可或缺。在華爲海思成立初期就有每年4億美(měi)元的研發投入,随着研發芯片的規模越來(lái)越大(dà),研發投入資金(jīn)早就遠不如此。華爲報(bào)表顯示,近十年華爲研發投入4000億元,其中芯片研發投入約占40%,可見研發投入巨大(dà)。随着我國政府将芯片産業發展置于戰略性高(gāo)位,國家陸續發布産業扶持政策,在宏觀調控的風(fēng)向标作(zuò)用(yòng)下(xià),撬動社會(huì)資本給予進一步的基金(jīn)支持。

4.4 搭建多種平台,拓寬資源獲取渠道(dào)

芯片産品研發是一個包含數據管理(lǐ)、模拟測試、性能(néng)分析等工(gōng)作(zuò)的複雜(zá)過程,構建集市場需求分析系統、研發流程規劃系統、知(zhī)識管理(lǐ)系統于一體的産品開(kāi)發設計(jì)平台,能(néng)夠數字化集合研發資源,爲企業開(kāi)展研發活動提供資源配置、成本控制、模型管理(lǐ)等一系列支持系統。芯片設計(jì)需要遵循市場變動情況推陳出新,産品研發平台汲取以往産品開(kāi)發和(hé)應用(yòng)等經驗,才能(néng)夠具備動态研發能(néng)力,有利于明(míng)晰産品更新和(hé)叠代方向。華爲海思通過鏈接華爲全球布局海外(wài)研發基地,可以調用(yòng)和(hé)共享技術研發知(zhī)識等企業專用(yòng)互補資産,加速研發技術補充。除了(le)搭建專屬自(zì)己的産品開(kāi)發平台,也(yě)要活用(yòng)公共技術服務平台。我國科技部從(cóng)2000年起就先後在多地建立了(le)八個國家IC設計(jì)産業化基地,基地爲包括華爲海思在内的芯片設計(jì)企業提供了(le)包括EDA工(gōng)具、SoC設計(jì)服務、創新應用(yòng)推廣等服務的設計(jì)技術服務平台,累積了(le)厚實的共性技術、管理(lǐ)運行經驗和(hé)創新資源等。此外(wài),通過搭建投資平台,在平台上(shàng)提供企業的有效信息及相關操作(zuò)渠道(dào),爲企業創新研發吸引投資支持。

4.5 合理(lǐ)策略組合,塑造獨特競争優勢

華爲海思芯片最初選擇對(duì)外(wài)銷售的經營戰略,初期研發的K3系列售賣給了(le)山寨機市場,但(dàn)由于初代産品不成熟,所以即使想占據主流市場之外(wài)的邊緣市場都以失敗告終。随後在國際市場上(shàng)又頻繁遭受芯片斷供和(hé)專利起訴威脅,以及中下(xià)遊廠(chǎng)商對(duì)國際巨頭芯片設計(jì)的偏向選擇,導緻華爲海思發展處處受阻。随後華爲海思果斷選擇以自(zì)産自(zì)銷策略來(lái)代替純粹的外(wài)部市場交易,采取依靠組織内部需求的縱向一體化發展模式,通過有策略地運用(yòng)華爲掌握的市場勢力,形成“手機終端+自(zì)研芯片”共生模式。一方面解決了(le)海思芯片出售量寥落的問題,另一方面介于自(zì)家産品的使用(yòng),産生的壓力倒逼海思不斷提升芯片設計(jì)技術,并且華爲通信巨頭的競争優勢爲海思芯片提供了(le)應用(yòng)載體、市場測試、經驗學習、用(yòng)戶互動反饋等條件,也(yě)利于海思芯片進行快(kuài)速的産品更新叠代。此外(wài),華爲海思選擇定位中高(gāo)端市場的堅持,也(yě)爲之後割據高(gāo)比例市場份額奠定基礎。随着麒麟系列芯片的研發,華爲海思果斷定位中高(gāo)端市場,縱使海思的K3系列芯片仍有待優化,但(dàn)在2012—2014年間,華爲上(shàng)市的智能(néng)手機均搭載K3V2芯片,主要基于華爲強大(dà)的行業背書,且憑借外(wài)觀、屏幕、操作(zuò)系統、網絡适配等優勢帶動技術不完備的海思芯片進行市場應用(yòng)和(hé)叠代,最終成功塑造了(le)海思芯片中高(gāo)端品牌定位。



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