摘要:面對(duì)近年國外(wài)戰略性掣肘的不斷加壓,我國芯片設計(jì)被鎖定在産業創新價值鏈的低(dī)端,芯片設計(jì)企業如何擺脫低(dī)端循環以搶占産業發展制高(gāo)點,成爲我國芯片産業破局的關鍵。在分析我國芯片設計(jì)産業現(xiàn)狀及其創新價值鏈地位的基礎上(shàng),選取芯片設計(jì)領軍企業華爲海思作(zuò)爲研究對(duì)象,從(cóng)研發水(shuǐ)平、競争對(duì)手、設計(jì)人才三方面探讨其陷入低(dī)端鎖定困局的成因,并爲解決低(dī)端鎖定帶來(lái)的企業發展易受制于人、失去主流市場應用(yòng)機會(huì)、難以赢得資本市場青睐等不良影響,從(cóng)知(zhī)識儲備、技術研發、人财保障、平台搭建和(hé)策略組合等維度提出破解策略,爲我國芯片設計(jì)企業向創新價值鏈高(gāo)端攀升提供對(duì)策建議(yì)。
關鍵詞:芯片設計(jì);創新價值鏈;鎖定困境;破解策略;華爲海思
芯片技術屬于高(gāo)精尖技術,是各國争奪的一個技術戰略高(gāo)地。随着國際競争愈發激烈,尋找核心技術創新突破成爲企業脫穎而出的重要抓手。雖然近年來(lái)芯片産業發展勢頭迅猛,但(dàn)仍存在着勞動力投入冗餘、核心技術嚴重依賴進口、人才培養和(hé)引入機制不完備等一系列阻礙芯片企業創新發展的問題。對(duì)此,部分學者通過案例分析來(lái)探究企業如何實現(xiàn)創新突破,并從(cóng)多方面提出實際建議(yì),譬如通過政府制定政策來(lái)健全激勵機制、規劃企業網絡整合資源、構建創新生态系統、鑄造芯片跨區(qū)域格局錯位互補發展、促進國内外(wài)技術合作(zuò)、構建國際創新合作(zuò)網絡等措施。期望通過實施一系列措施來(lái)強化企業的自(zì)主創新能(néng)力,從(cóng)而穩步推進國内芯片企業尖端化和(hé)國際化。
創新價值鏈理(lǐ)論視(shì)創新爲一個循序漸進的過程,基于對(duì)創新過程鏈式結構的認知(zhī),諸多學者對(duì)創新過程進行了(le)細緻的劃分,在區(qū)域創新視(shì)角下(xià),将創新過程劃分爲知(zhī)識創新、科研創新、産品創新三階段的觀點被運用(yòng)最廣。在企業創新機制視(shì)角下(xià),創新過程多被劃分爲技術成果生成和(hé)技術成果轉化兩階段。有學者将價值鏈與産業鏈相融合,并基于産業屬性的差異,構建出有針對(duì)性特色的創新價值鏈,芯片創新價值鏈可被劃分爲有關知(zhī)識創造、傳播、使用(yòng)和(hé)再創造的過程。芯片設計(jì)位于産業鏈上(shàng)遊,由于進口依賴嚴重、人才長期匮乏、産業投入不足等原因,導緻芯片設計(jì)桎梏于低(dī)端鎖定困境。
綜上(shàng)可知(zhī),我國芯片企業的創新發展問題一直備受關注,學者們從(cóng)多方位提出了(le)助力企業實現(xiàn)創新突破的實質性意見,但(dàn)基于創新價值鏈理(lǐ)論的相關研究大(dà)多面向芯片産業整體,而對(duì)于産業鏈中芯片設計(jì)企業的針對(duì)性研究鮮有。因此,鑒于芯片設計(jì)環節在芯片産業鏈中占據極高(gāo)的附加值地位,本文(wén)在創新價值鏈視(shì)角下(xià),以國内芯片設計(jì)領軍企業華爲海思爲例,深入分析我國芯片設計(jì)企業創新價值鏈鎖定的影響與成因,并在此基礎上(shàng)探究相應的解鎖策略。
根據圖1可知(zhī),近十年我國芯片設計(jì)企業一直保持穩健增長态勢,尤其在2016年增幅極爲明(míng)顯,近幾年增速逐漸放(fàng)緩,并在2022年首次出現(xiàn)企業數量增速下(xià)降狀況,盡管如此,2022年的企業數量仍比上(shàng)一年度多增了(le)433家。雖然我國芯片設計(jì)企業如雨後春筍般萌生,但(dàn)大(dà)多數企業規模都偏小(xiǎo),國内龍頭企業屈指可數,營收過億的企業占比一直維持在20%以下(xià),其中華爲海思和(hé)紫光展銳穩居超億元企業排名榜首。絕大(dà)部分企業的營收情況不容樂觀,甚至有很(hěn)多企業接近于零收入,資金(jīn)獲取主要仰賴于政府補貼和(hé)風(fēng)險投資。
面對(duì)全球新冠疫情的爆發和(hé)美(měi)國不斷加壓的無理(lǐ)制裁,我國很(hěn)多芯片設計(jì)企業倒閉,部分企業通過裁員以續生存。此外(wài),美(měi)國通過搭建專利技術壁壘帶來(lái)的影響,迫使企業隻能(néng)降低(dī)産品生産所需技術要求,轉而購買本地産品,中間産品技術含量的降低(dī)導緻最終産品的質量下(xià)滑。根據圖2可知(zhī),我國芯片設計(jì)産業的銷售額連續多年保持穩定增長,但(dàn)從(cóng)2020年開(kāi)始,産業總銷售額增速持續下(xià)降,2021年比2020年的增速降低(dī)了(le)3.7個百分點,2022年比2021的增速又降低(dī)了(le)3.6個百分點。目前介于高(gāo)速叠代帶來(lái)的行業發展不确定性以及國際巨頭的掣肘,芯片産業逐漸國産化已是不可避免的趨勢,并且多數大(dà)型芯片設計(jì)企業未來(lái)會(huì)選擇延伸到(dào)全産業鏈中,通過多維投資布局來(lái)對(duì)沖不确定性風(fēng)險,而小(xiǎo)型企業則多被巨頭并購。
從(cóng)芯片全産業鏈來(lái)看(kàn),芯片設計(jì)屬于全産業的上(shàng)遊環節,在芯片設計(jì)最上(shàng)遊存在軟件設計(jì)工(gōng)具電子設計(jì)自(zì)動化(Electronic Design Automation,EDA)和(hé)互聯網協議(yì)(Internet Protocol,IP)授權商,下(xià)遊承接着芯片制造廠(chǎng)商,如圖3所示。首先,EDA軟件集中度較高(gāo),全球EDA市場幾乎由新思科技(Synopsys)、楷登電子(Cadence)、西門(mén)子EDA(SiemensEDA,原先的Mentor Graphics)三巨頭所壟斷,長期占據全球市場份額的70%以上(shàng)(數據來(lái)源:ESD Alliance前瞻産業研究院)。其次,被廣泛使用(yòng)的IP核大(dà)多源于Advanced RISC Machines(英國)、Synopsys(美(měi)國)、Imagination(原英國)和(hé)Cadence(美(měi)國),由于存在較高(gāo)的技術壁壘和(hé)商業壁壘,我國企業在該領域鮮有涉獵。最後,目前全球隻有台積電和(hé)三星在7nm、5nm、3nm制程上(shàng)有所競争,而國内大(dà)陸最先進的芯片制造企業隻突破了(le)14nm制程工(gōng)藝,當後端制程環節達不到(dào)芯片設計(jì)的要求,再完美(měi)精密的芯片設計(jì)也(yě)是徒勞。可見,我國芯片設計(jì)企業受到(dào)上(shàng)下(xià)遊兩端制約和(hé)牽引。
芯片是集成電路的載體,我國集成電路的進出口存在顯著貿易逆差。根據圖4可知(zhī),從(cóng)2019—2021年國内集成電路進出口一直維持增長趨勢,由于出口追趕不上(shàng)進口的高(gāo)位運行,造成的進出口逆差局面始終未變,僅近四年的進出口逆差總額就高(gāo)達9779億美(měi)元,2022年整個集成電路市場陷入低(dī)迷,進出口規模有所下(xià)滑,同時(shí)國内生産也(yě)出現(xiàn)了(le)自(zì)2009年以來(lái)的首次下(xià)滑,國内産量同比下(xià)降9.8%。将各年集成電路的國内生産量、出口量、進口量對(duì)比後不難發現(xiàn),國内芯片生産量遠不能(néng)滿足自(zì)身需求,芯片自(zì)給率低(dī),依賴進口的局面很(hěn)難在短時(shí)間内改變。
從(cóng)表1所示的全球芯片設計(jì)企業營收狀況來(lái)看(kàn),2022年第一季度全球前十總營收增至394.3億美(měi)元,同比增長44.20%,可見芯片設計(jì)行業市場成長強勁。高(gāo)通、博通、英偉達蟬聯前三席位,美(měi)國超微公司(Advanced Micro Devices,AMD)憑借70.89%突出的同比增速,反超聯發科晉升排名第4後,美(měi)國芯片企業包攬前四位,市場占比高(gāo)達74.70%。韋爾半導體在2022年擠進十強後,榜上(shàng)有名的中國芯片企業增至四家,分别是聯發科、聯詠、瑞昱、韋爾半導體,除了(le)聯發科占比超10%,剩餘三家企業市場占比低(dī)至個位數,四家企業市場占比總額都略低(dī)單個榜首企業,顯然我國芯片設計(jì)企業的競争實力與國際鳌頭大(dà)相徑庭,國内能(néng)夠發揮引領作(zuò)用(yòng)的領軍企業寥寥可數,難以形成合力。
芯片設計(jì)受兩端桎梏、行業市場占比極小(xiǎo)、芯片自(zì)給率偏低(dī)等問題,處處揭露了(le)我國芯片設計(jì)産業正固封于價值鏈低(dī)端鎖定的窠臼,解決如何實現(xiàn)價值鏈的攀升以及在此過程中規避制裁雖道(dào)阻且長,但(dàn)已然刻不容緩。
根據俘獲效應可知(zhī),頭部企業主導着産品價值鏈的分工(gōng)體系,而低(dī)端企業隻能(néng)被動融入,最初頭部企業爲了(le)後端企業能(néng)符合分工(gōng)需要,會(huì)主動輸出一些(xiē)技術和(hé)标準,一旦發現(xiàn)其有向價值鏈高(gāo)端攀升的苗頭時(shí),頭部企業就會(huì)借助自(zì)身勢力對(duì)其打壓以防彎道(dào)超車。知(zhī)識創新是創新價值鏈的初始環節,加快(kuài)知(zhī)識信息流動有助于價值鏈運轉,設置知(zhī)識壁壘則是最尋常的打壓阻截手段。未掌握核心技術的企業會(huì)通過取得技術轉讓或技術許可等方式來(lái)獲得相關知(zhī)識,期間要對(duì)外(wài)支付高(gāo)額的采購費用(yòng)和(hé)專利授權費用(yòng),但(dàn)是國際巨擘之間通常持有交叉專利許可,可以形成對(duì)等威懾局面,然而處于低(dī)端鎖定的企業無法受益,就形成了(le)強者愈強、弱者愈弱的馬太效應。同時(shí),低(dī)端鎖定的企業處于被動接受地位,未控有主動決定權,一旦掌握相關專利的頭部企業利用(yòng)“專利叢林(lín)”設置關卡,價值鏈低(dī)端企業必受其影響。華爲海思的麒麟處理(lǐ)器曾一度與高(gāo)通骁龍等大(dà)廠(chǎng)并駕齊驅,産品競争力不容置疑,但(dàn)在美(měi)國專利技術的知(zhī)識壁壘阻截下(xià),公司的技術優勢被明(míng)顯削弱。
市場是檢驗産品的最佳标準,2009年華爲海思設計(jì)研發的第一款手機芯片K3V1,由于存在性能(néng)差、可靠性低(dī)、冷啓動等問題,隻能(néng)選擇搭乘山寨機進入末端市場。2012年華爲海思推出的K3V2處理(lǐ)器,讓其一舉跻身頂級智能(néng)手機處理(lǐ)器行列,但(dàn)由于采用(yòng)的工(gōng)藝制程等技術不完備,反映出整體功耗高(gāo)和(hé)兼容性差等問題,造成用(yòng)戶購買率不佳。2013年底,麒麟910作(zuò)爲華爲海思第一款推出的手機SoC芯片,同樣因爲存在軟件兼容性、功耗、使用(yòng)性能(néng)等問題,未能(néng)獲得市場認可。低(dī)端企業在産品技術方面明(míng)顯落後,使其缺乏競争力與領先企業抗衡,并且大(dà)部分後發企業在開(kāi)始研發産品時(shí),傾向選擇對(duì)标國外(wài)指标,但(dàn)僅僅追趕别人的技術标準會(huì)形成永遠都“差一步”的現(xiàn)象,更難進入主流市場,市場應用(yòng)機會(huì)的喪失同時(shí)意味着企業無法獲得最直接、最高(gāo)效、最真實的用(yòng)戶反饋,産品技術改進缺乏實踐經驗。此外(wài),無法滿足消費者需求的産品所獲銷售收入微乎其微,這(zhè)與高(gāo)額的研發投入需求不相匹配,從(cóng)而導緻“低(dī)競争力→低(dī)市場份額→低(dī)營業收入→低(dī)研發投入”惡性循環凸顯。
對(duì)于創立初期的華爲海思而言,大(dà)規模的科研投入需求難以被滿足成爲棘手難題,當時(shí)的芯片設計(jì)産業發展剛擡頭,投資商對(duì)芯片初創企業的發展滿腹疑團,不敢輕易押注,華爲海思的研發等各項投入則是由華爲内部全額投資。如今我國芯片設計(jì)産業仍處于低(dī)端鎖定階段,芯片設計(jì)産業的投資成功率不高(gāo),我國投資商對(duì)于芯片設計(jì)的投資失敗容忍度較低(dī),并且縱觀以往經驗,很(hěn)多創新型的早期芯片項目都是紛紛夭折。芯片設計(jì)相較芯片制造而言,投資者傾向于更具象的芯片制造加工(gōng),芯片設計(jì)難度高(gāo)、耗資高(gāo)、風(fēng)險不可控的特殊屬性愈發讓投資商望而生畏,導緻國内欠缺相應的風(fēng)險投資行爲,芯片設計(jì)産業目前面臨的投資熱潮更多的隻是投資意願而非實際行動,這(zhè)對(duì)于滿足芯片設計(jì)産業高(gāo)額科研投入需求帶來(lái)重重困難。
芯片設計(jì)産業技術壁壘極高(gāo),企業需要着力提升技術創新能(néng)力,爲跻身高(gāo)端芯片行列提供先進技術支持。如今已被消費者熟知(zhī)且接受的麒麟系列,在初期生産的麒麟910“片上(shàng)系統”也(yě)有過不被市場認可的毛羽未豐階段。在叠代更新期間,麒麟系列通過更換制造工(gōng)藝和(hé)GPU,解決了(le)K3系列發熱和(hé)軟件兼容等問題,并且還比高(gāo)通提前一年自(zì)主研發出支持LTE Ca4G網絡的基帶芯片巴龍710,這(zhè)意味着華爲海思逐漸掌握識别、吸收和(hé)整合新技術的能(néng)力。之後麒麟920采用(yòng)28 nm高(gāo)性能(néng)移動(High Performance Mobile,HPM)工(gōng)藝制程,集成了(le)音(yīn)頻芯片、視(shì)頻芯片、ISP,自(zì)主研發出全球首款支持LTE Cat.6的巴龍720基帶,更是明(míng)顯縮小(xiǎo)了(le)海思芯片與行業領先者的技術差距,此後麒麟芯片變得真正成熟,受到(dào)消費者更多好(hǎo)評。麒麟960的研發攻破了(le)以往55 nm CDMA基帶的桎梏,自(zì)主研發的16 nm CDMA基帶解決了(le)高(gāo)通的專利壁壘,海思芯片開(kāi)始進入處理(lǐ)器芯片的頭部陣營。麒麟970的生産發布更成爲轉折點,在業内首次推出人工(gōng)智能(néng)計(jì)算(suàn)平台網絡處理(lǐ)單元(Neural Processing Unit,NPU),将AI從(cóng)以往運用(yòng)在大(dà)型雲端設備轉移到(dào)低(dī)功耗要求的消費級移動終端産品上(shàng),華爲海思開(kāi)啓了(le)智能(néng)手機向智慧手機的探索道(dào)路。十餘年深耕,華爲海思實現(xiàn)了(le)從(cóng)落後追趕到(dào)齊肩并行甚至領先的轉變,助力華爲在智能(néng)手機市場取得了(le)遙遙領先的地位。
2012年華爲高(gāo)層強調海思每年要投入4億美(měi)元和(hé)2萬人進行技術強攻,通過提升自(zì)主創新能(néng)力來(lái)降低(dī)進口技術依賴。目前華爲海思員工(gōng)已超7000人,除在深圳設立總部外(wài),在上(shàng)海、北京、美(měi)國矽谷、瑞典皆設有分公司以網羅人才,通過企業價值導向和(hé)藍圖規劃吸引高(gāo)端人才加盟,通過全産業鏈布局收購團隊,高(gāo)薪挖角的行爲在該行業更是常見。高(gāo)薪搶人能(néng)在短期内解決人才短缺,但(dàn)基于長期而言,培養人才更不容忽視(shì)。華爲海思在研發骨幹培養方面一直不遺餘力,通過知(zhī)識數字資産共享、分派海外(wài)工(gōng)作(zuò)、外(wài)派培訓等方式加速研發人員的技術知(zhī)識積累,并通過與高(gāo)校共同建立起芯片設計(jì)人才培養的産教協同機制,在經過組織性和(hé)系統性學習的同時(shí),鼓勵學生到(dào)企業中實踐獲真知(zhī),才能(néng)鍛煉出具備夯實基礎知(zhī)識和(hé)實操經驗的人才。芯片設計(jì)不僅需要頂尖的人才投入,充足的資金(jīn)投入也(yě)不可或缺。在華爲海思成立初期就有每年4億美(měi)元的研發投入,随着研發芯片的規模越來(lái)越大(dà),研發投入資金(jīn)早就遠不如此。華爲報(bào)表顯示,近十年華爲研發投入4000億元,其中芯片研發投入約占40%,可見研發投入巨大(dà)。随着我國政府将芯片産業發展置于戰略性高(gāo)位,國家陸續發布産業扶持政策,在宏觀調控的風(fēng)向标作(zuò)用(yòng)下(xià),撬動社會(huì)資本給予進一步的基金(jīn)支持。
芯片産品研發是一個包含數據管理(lǐ)、模拟測試、性能(néng)分析等工(gōng)作(zuò)的複雜(zá)過程,構建集市場需求分析系統、研發流程規劃系統、知(zhī)識管理(lǐ)系統于一體的産品開(kāi)發設計(jì)平台,能(néng)夠數字化集合研發資源,爲企業開(kāi)展研發活動提供資源配置、成本控制、模型管理(lǐ)等一系列支持系統。芯片設計(jì)需要遵循市場變動情況推陳出新,産品研發平台汲取以往産品開(kāi)發和(hé)應用(yòng)等經驗,才能(néng)夠具備動态研發能(néng)力,有利于明(míng)晰産品更新和(hé)叠代方向。華爲海思通過鏈接華爲全球布局海外(wài)研發基地,可以調用(yòng)和(hé)共享技術研發知(zhī)識等企業專用(yòng)互補資産,加速研發技術補充。除了(le)搭建專屬自(zì)己的産品開(kāi)發平台,也(yě)要活用(yòng)公共技術服務平台。我國科技部從(cóng)2000年起就先後在多地建立了(le)八個國家IC設計(jì)産業化基地,基地爲包括華爲海思在内的芯片設計(jì)企業提供了(le)包括EDA工(gōng)具、SoC設計(jì)服務、創新應用(yòng)推廣等服務的設計(jì)技術服務平台,累積了(le)厚實的共性技術、管理(lǐ)運行經驗和(hé)創新資源等。此外(wài),通過搭建投資平台,在平台上(shàng)提供企業的有效信息及相關操作(zuò)渠道(dào),爲企業創新研發吸引投資支持。
華爲海思芯片最初選擇對(duì)外(wài)銷售的經營戰略,初期研發的K3系列售賣給了(le)山寨機市場,但(dàn)由于初代産品不成熟,所以即使想占據主流市場之外(wài)的邊緣市場都以失敗告終。随後在國際市場上(shàng)又頻繁遭受芯片斷供和(hé)專利起訴威脅,以及中下(xià)遊廠(chǎng)商對(duì)國際巨頭芯片設計(jì)的偏向選擇,導緻華爲海思發展處處受阻。随後華爲海思果斷選擇以自(zì)産自(zì)銷策略來(lái)代替純粹的外(wài)部市場交易,采取依靠組織内部需求的縱向一體化發展模式,通過有策略地運用(yòng)華爲掌握的市場勢力,形成“手機終端+自(zì)研芯片”共生模式。一方面解決了(le)海思芯片出售量寥落的問題,另一方面介于自(zì)家産品的使用(yòng),産生的壓力倒逼海思不斷提升芯片設計(jì)技術,并且華爲通信巨頭的競争優勢爲海思芯片提供了(le)應用(yòng)載體、市場測試、經驗學習、用(yòng)戶互動反饋等條件,也(yě)利于海思芯片進行快(kuài)速的産品更新叠代。此外(wài),華爲海思選擇定位中高(gāo)端市場的堅持,也(yě)爲之後割據高(gāo)比例市場份額奠定基礎。随着麒麟系列芯片的研發,華爲海思果斷定位中高(gāo)端市場,縱使海思的K3系列芯片仍有待優化,但(dàn)在2012—2014年間,華爲上(shàng)市的智能(néng)手機均搭載K3V2芯片,主要基于華爲強大(dà)的行業背書,且憑借外(wài)觀、屏幕、操作(zuò)系統、網絡适配等優勢帶動技術不完備的海思芯片進行市場應用(yòng)和(hé)叠代,最終成功塑造了(le)海思芯片中高(gāo)端品牌定位。